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创伤性脑水肿的在体研究 |
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tar大鼠10只，雌雄各半，体重(210±5) g。
2. 中度颅脑创伤的制作［6］： 大鼠以戊巴比妥钠麻醉（30 mg/kg体重腹腔内注射）。将大鼠俯卧位固定于立体定向仪上，头部剪毛、消毒，正中矢状切开头皮，暴露颅骨，于中线左侧旁开2 mm，前囟后3 mm钻一直径3 mm的孔，露出硬脑膜，注意保持硬脑膜完整。将动物移至自行研制的气体冲击致伤装置上，调整脑表面与冲击管口的距离为4 mm，调节气源压力为600 kPa，随即进行致伤，波宽(60±0.3) ms。致伤后大鼠出现四肢抽搐，呼吸暂停数秒钟，说明致伤成功。动物清醒后分笼喂养。
3. 电阻抗测试装置的组成及原理：自行研制的电阻抗测试装置由正弦波信号发生器、恒流源、隔离放大器、监幅器、监相器及示波器等组成。由正弦波信号发生器产生不同频率的可变电流，选择0.4，2，5，10，50，100，200，500 Hz和5，10，50，100，500，1 000 kHz等15个频率点进行测定。外层2个电极用于发生可变电流（电流强度维持在50 μA水平），内层2个电极用于测量电阻抗。4个电极均布放于伤区。
4. 电阻抗测试方法及计算：电阻抗测量采用4电极法，分别于伤前、伤后0.5，1,3,6,16,24,48,72,168 h 进行电阻抗测试。
生物组织在频散段内可以看成是由细胞外液电阻、细胞内液电阻和细胞膜容抗组成的三元简单电路［7］，见图1。根据此电路及三元模型的本构方程1/Z=1/Re+1/(Ri+1/jωc)，即可通过测量各频率点的电阻抗值，计算出Re，Ri和Cm的值（Re为细胞外液电阻，Ri为细胞内液电阻，Cm为容抗）。本实验中仅计算Re、Ri及Re/Ri，为便于比较，将伤后各时相点的Re、Ri和Re/Ri分别除以伤前值，以百分率表示。统计学方法采用t检验。
图1 Re、Ri和Cm组成的三元模型
结 果
颅脑创伤后Re、Ri和Re/Ri的变化见表1(2只动物死亡未计在内)。伤后0.5 h，Re明显下降（P<0.05），至伤后3 h下降明显（P<0.01），伤后16～48 h 明显升高（P<0.01），伤后72 h 以后无明显变化; 在伤后3 h以内，Ri无明显变化，Re/Ri在伤后1 h及伤后3 h明显下降；伤后6 h，Ri明显下降（P<0.01，而Re却有升高，则Re/Ri明显增高（P<0.01）;伤后72 h，Re/Ri仍高于伤前（P<0.01）；伤后168 h，Re/Ri基本恢复正常。
表1 大鼠颅脑创伤后Re，Ri和Re/Ri的变化 ［百分率(%)，±s］
伤后
时间
(h) 鼠数 Re Ri Re/Ri
0.5 8
96.17±4.26*
100.00±1.41
96.20±5.03
1 8 87.50±1.87** 99.00±1.41 88.40±2.47**
3 8 84.67±1.86** 98.83±1.83 85.69±2.23**
6 8 99.83±1.47 87.00±1.41** 114.79±3.26**
16 8 102.67±1.75** 79.83±1.47** 128.66±4.30**
24 8 104.83±0.75** 76.00±2.61** 138.05±4.14**
48 8 103.00±1.41** 75.17±2.32** 137.17±5.62**
72 8 99.33±1.21 92.33±3.27** 107.71±4.54**
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